| Seminar Vật lý lý thuyết và Vật lý tính toán:
|
| Tên báo cáo | "Empirical tight-binding method for modeling SiGe nanocrystals in the matrix of SiO2 and calculations of electronic and optical properties of Si/Ge and PbSe quantum dots"
|
|---|
| Người trình bày | Alex Belolipetskiy and Ivan Avdeev
|
|---|
| Cơ quan | Viện Ioffe, St. Petersburg, Liên bang Nga
|
|---|
| Ngày | Thứ Ba, 09-04-2019
|
|---|
| Giờ | 10:00 AM
|
|---|
| Địa điểm | Phòng họp tầng 6, nhà 2H, 18 Hoàng Quốc Việt, Hà Nội
|
|---|
| Tóm tắt | The first part of the talk will be a presentation of our recent development of tight binding model for modeling Si/Ge nanocrystal embedded in SiO2 matrix. In the second part, we will talk about analysis of electron and hole states in real/reciprocal space and details of optical properties calculations. We will also discuss our recent activity regarding fine structure of excitonic states in PbSe quantum dots.
|
|---|
| Người chủ trì | Nguyễn Huy Việt
|
|---|
