| Mục tiêu của đề tài | + Phát triển công nghệ chế tạo vật liệu nano tinh thể SiGe;
+ Chế tạo được các cấu trúc dị thể đa lớp dạng màng mỏng chứa các nano tinh thể Si-Ge với các thành phần và kích thước khác nhau, được ngăn cách bởi các lớp đệm SiO2 hoặc Al2O3;
+ Mô phỏng các trạng thái điện tử trong vật liệu nano tinh thể SiGe;
+ Tiến hành các nghiên cứu cả về lý thuyết lẫn thực nghiệm về các quá trình hấp thụ, tái hợp và bức xạ phôton của vật liệu, các quá trình hình thành, vận động của exciton cũng như các hạt tải điện trong vật liệu nano SiGe.
|
|---|
