| ||||||||||
Công bố khoa học |
Phys. Rev. B 75, 073305 (2007)
SCI Theory of the channel-width dependence of the low-temperature hole mobility in Ge-rich narrow square Si/SiGe/Si quantum wellsD. N. Quang, N. H. Tung, D. T. Hien, and H. A. Huy | |||||||||
Trang chủ |
Thư viện |
English
© 2010 Trung tâm Vật lý lý thuyết Viện Vật lý, 10 Đào Tấn, Ba Đình, Hà Nội |