Hoạt động khoa học
Seminar
|
Seminar Trung tâm Vật lý lý thuyết: | |
| Tên báo cáo | Ảnh hưởng của thế thăng giáng Coulomb lên truyền dẫn trục c trong vật liệu cuprate |
|---|---|
| Người trình bày | TS. Phạm Tuấn Minh |
| Cơ quan | Trung tâm Vật lý lý thuyết, IOP, VAST |
| Ngày | Thứ Ba, 08-04-2014 |
| Giờ | 10:00 AM |
| Địa điểm | Phòng họp tầng 1, Viện Vật lý, 10 Đào Tấn, Ba Đình, Hà Nội |
| Tóm tắt | The subject is studying the resistivity along c-axis direction in cuprates, layered high-temperature superconducting materials as a function of temperature. A point-to-point tunneling model is built to describe the tunneling between two CuO2 planes including the in-plane Coulomb interaction. The c-axis resistivity is calculated in both gapless and gap cases as a function of the temperature and the strength of the Coulomb fluctuation. The dimensionless parameter α characterizing the strength of the Coulomb fluctuation is calculated theoretically in the random-phase approximation (RPA) and in the Landau-Fermi liquid theory. It turns out the theoretical form of the c-axis resistivity fits quite well with experimental data in both the metallic (gapless) region and the metal-insulator crossover (pseudogap) region of the c-axis resistivity. The parameter α in the fitting is also compared with the solution in the RPA calculation. |