|
Tiếp theo lớp học Vật lý Mô-hình-hóa
năm 2002 (http://www.iop.vast.ac.vn/activites/smp/index.htm),
năm nay Trung tâm Vật lý lý thuyết, Viện Vật lý sẽ
tổ chức lớp học Vật lý Mô-hình-hóa với chuyên
đề:
"Mô-phỏng sự-chuyển điện-tử trong linh-kiện nano
bán-dẫn"
CÁC GIẢNG VIÊN:
1 - Philippe Dolfus - Institute of Fundamental Electronics, Univ. Paris-Sud 11, Orsay (France).
2 - Nguyen Van Lien, Institute of Physics, NCST, Hanoi (Vietnam).
NỘI DUNG CÁC BÀI GIẢNG VỀ:
1 - From classical to quantum transport in nanodevices:
- Brief introduction on semiconductor nanodevices
- Classical transport: distribution function and Boltzmann Transport Equation (BTE)
- Scattering mechanisms: phonon and impurity scattering
- Application of BTE to nanodevice simulation: example of Monte Carlo simulation
- Limitations of BTE (quantum effects)
- Introduction to quantum transport: Wigner function and transport equation
- Relations and differences between Boltzmann (classical) and Wigner (quantum) formalisms
- Green Function Method
2 - Single electron tunneling and coulomb blockade in quantum dot devices:
- Quantum dot and Coulomb blockade: the principle
- The simple electrical model for metallic double-tunnel-junction and SET
- Electronic structure of semiconductor quantum dots (case of Si and Ge QDs):
Hartree method and density functional theory
- Effect of applied bias on the electronic structure of QD
- Theory of transfer Hamiltonian for single electron tunneling
- Application to the calculation of current in metallic and semiconductor double-tunnel-junction.
CHƯƠNG TRÌNH DỰ KIẾN:
- Các buổi sáng (từ 8h30 - 11h 30): Lý thuyết (không
hạn chế số lượng học viên tham dự).
- Các buổi chiều (từ 13h 30 - 16h 30): Thực hành trên máy tính (số lượng học viên hạn chế).
-
Địa điểm : Hội trường Viện Vật lý, 46 Nguyễn Văn Ngọc, Thủ Lệ, Ba Đình, Hà Nội.
- Thời gian: 3 ngày (từ Thứ Ba 23/12/2003 đến Thứ Năm 25/12/2003).
ĐĂNG KÝ THAM DỰ:
|
