Programme

I.2 -- Invited, VCTP-46

Date: Monday, 4 October 2021

Time: 09:20 - 09:50

Xác định nguồn gốc quang phổ phát xạ và tương tác hyperfine trong Beta-Ga2O3 bằng hàm lai tối ưu

Hồ Quốc Duy

Đại học Kỹ Thuật - Công Nghệ Cần Thơ

Phương pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ với các gần đúng LDA và GGA thường được sử dụng để tính toán cho các vật liệu, nhưng LDA/GGA cho kết quả độ rộng vùng cấm của bán dẫn nhỏ hơn nhiều so với thực nghiệm và cũng không thể mô tả chính xác mức độ định xứ của các sai hỏng. Khi độ rộng vùng cấm của bán dẫn không được tính toán chính xác từ LDA/GGA thì phương pháp hàm lai, cụ thể là HSE06 (α= 0,25 và µ = 0.20), thường được sử dụng. Tuy nhiên phường pháp hàm lai HSE06 này thường không quan tâm nhiều đến độ định xứ của hàm sóng. Do đó một hàm lai tối ưu cần được tiền hành nghiên cứu, hàm lai tối ưu này chẳng những phải cho kết quả độ rộng vùng cấm trùng khớp với kết quả thực nghiệm mà còn thoả mãn lý thuyết Koopman. Đối với vật liệu β-Ga2O3, Peter Deák cùng với tôi và các cộng sự đã nghiên cứu tìm ra hàm lai tối ưu cho vật liệu này với các thông số α= 0.26 và µ = 0.00, được gọi là HSE(0.26,0.00). Hàm lai tối ưu này không chỉ tính toán chính xác được độ rộng vùng cấm trong thực nghiệm của β-Ga2O3 mà nó còn thoả mãn lý thuyết Koopman - đảm bảo độ chính xác trong việc tính toán độ định xứ của hàm sóng. Mức chuyển hoá năng lượng của các sai hỏng tính toán từ phuơng pháp tối ưu hoá hàm lai rất phù hợp với kết quả thực nghiệm. Phương pháp này tiếp tục được áp dụng cho việc xác định nguồn gốc của các quang phổ UV, xanh dương và xanh lá và các tương tác hyperfine trong vật liệu β-Ga2O3

Presenter: Hồ Quốc Duy