| Mục tiêu của đề tài | "• Dẫn ra năng lượng của exciton nm bất kỳ dưới dạng một hàm của bán kính của nó với vai trò là thông số biến phân, tính đến các tham số của vật liệu và môi trường ảnh hưởng đến hàm này.
• Tính năng lượng liên kết và bán kính hiệu dụng của exciton ns đến n = 11 trong bốn ATS (MoS2, MoSe2, WS2, WSe2) trên đế SiO2 và với chất phủ hBN và so sánh kết quả với các dữ liệu thực nghiệm hiện có.
• Tìm các công thức tương tự công thức Rydberg để mô tả các dãy ns và các dãy n, |n-1| có n lớn trong bốn ATS với chất phủ hBN.
• Tính năng lượng liên kết và bán kính hiệu dụng của tất cả các exciton nm có cùng n với n ≥ 4 trong WS2 trên đế SiO2 để tìm quy luật phụ thuộc của các đặc trưng này vào m.
• Dẫn công thức chung cho tương tác trực tiếp giữa các ns Rydberg exciton thể hiện qua hàm sóng của 4 excitons tham gia tương tác.
• Tính tương tác trực tiếp giữa các exciton Rydberg ns , n = 3 – 7, và minh họa bằng đồ thị cho trường hợp WSe2 phủ hBN.11:04/-strong/-heart:>:o:-((:-h Xem trước khi gửiThả Files vào đây để xem lại trước khi gửi"
|
|---|
